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銻化銦InSb

銻化銦(InSb)作為一種III-V族半導(dǎo)體晶體材料,有極窄的禁帶寬度、極小的電子有效質(zhì)量和極高的電子遷移率,在磁阻元件和霍爾器件等工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域獲得了重要應(yīng)用。基于InSb的紅外探測(cè)器在3~5μm波段擁有極高的量子效率和響應(yīng)率,是中波紅外探測(cè)器的優(yōu)選材料。

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